據(jù)國外媒體報道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù)。這兩家公司稱，這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本。

　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理AlFazio星期三向記者解釋說，這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作。這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類。

　　簡單地說，這個技術(shù)能夠使DRAM內(nèi)存和存儲結(jié)合為一個高速的、高帶寬的架構(gòu)。但是，這個飛躍還有很長的路要走�；�于本周三宣布的這種技術(shù)的產(chǎn)品還要等許多年才能出現(xiàn)。

　　Fazio和Numonyx公司高級技術(shù)研究員GregAtwood解釋的這項技術(shù)突破稱作PCMS(相變內(nèi)存與開關(guān))的相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的一個進步。這種技術(shù)能夠在同一個基本的硫族(元素)化物材料商創(chuàng)建薄膜內(nèi)存單元機器控制薄膜選擇器，并且在一個交叉點架構(gòu)上把這些元件組合在一起。

　　這種新的相變技術(shù)也許有一天會把你的內(nèi)存和存儲融合為一個幸福的家庭。

　　這種新的薄膜選擇器名為雙向閾值開關(guān)，允許把多層的內(nèi)存/選擇器層放在一個CMOS基礎(chǔ)上，以創(chuàng)建高密度、高帶寬的PCM內(nèi)存。

　　這種多層堆疊是這個目標(biāo)。本周三宣布的技術(shù)突破是一種可工作的64MB單層版本的這種新的內(nèi)存架構(gòu)。英特爾將在今年12月在馬里蘭州巴爾迪摩舉行的國際電子設(shè)備大會上發(fā)表一篇論文，正式介紹這種內(nèi)存架構(gòu)。

　　不過，這些多層的新內(nèi)存目前正在設(shè)計圖版上。正如Atwood說的那樣，第一次是難度最大的一層。